无压烧结碳化硅
无压烧结碳化硅SSiC和热压烧结SiC
无压烧结SiC它是采用超细SiC微粉(粒度约在0.1～0.2微米)加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后再2000～2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。
热压烧结SiC它由粒度小于等于1微米的SiC粉加上适当的添加剂，装入石墨模具内，在2000～2100摄氏度的热压炉中加压(30～50MPa)制成
的。它是SiC中化学稳定性好的一种。这是因为在氧化气氛下，表层生成一种保护性的SiO2膜的缘故。这种SiC用作耐腐蚀密封摩擦副环性能好。
以下是常用材质的腐蚀液体中的测试结果
测试环境 |
腐蚀性失重（mg/cm2yr） |
||||
试剂浓度（Wt%） |
温度（°C） |
无压烧结碳化硅 |
反应烧结碳化硅 |
碳化钨 |
氧化铝 |
98%H2SO4 |
100 |
1.8 |
55.0 |
＞1000 |
65.0 |
50%NaOH |
100 |
2.5 |
＞1000 |
5.0 |
75.0 |
53%HF |
25 |
＜0.2 |
7.9 |
8.0 |
20.0 |
85%H3PO4 |
100 |
＜0.2 |
8.8 |
55.0 |
＞1000 |
70%HNO3 |
100 |
＜0.2 |
0.5 |
＞1000 |
7.0 |
45KOH |
100 |
＜0.2 |
＞1000 |
3.0 |
60.0 |
25%HCL |
70 |
＜0.2 |
0.9 |
85.0 |
72.0 |
10%HF和 57%HNO3 |
25 |
＜0.2 |
＞1000 |
＞1000 |
16.0 |
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